目前，國內外已經在電子封裝材料的生產和研究上達到了比較高的水平。
第一代電子封裝材料主要以Kovar 合 金 ( Ni-Fe ) 為 代 表， 其 熱 導 率 可 達 11 ～ 17W / ( m·K) ，熱膨脹系數為 4. 2 × 10－6/ K ( 25 ～ 150 ℃ ) ，密度為 8. 1 g/cm3。
第二代封裝材料主要以 WCu/Mo Cu 合金為代表，材料的導熱性能顯著增加，熱導率可達 160～200 W / ( m·K) ，但是其熱膨脹系數增大到 6. 5 × 10－6～8. 3 × 10－6/ K ( 25 ～ 150 ℃ ) ， 密 度 增 加 更 多， 為10 ～ 17 g / cm3。
這兩代封裝材料的制備與應用技術已非常成熟，并已經實現了工業化生產。
Si Cp/ Al 復合材料作為第三代封裝材料的主要代表，其熱導率和熱膨脹系數與第二代相當，但密度顯著降低至 2. 8 ～ 3 g /cm3。國內進行該類材料研究的科研院所非常多，研發的材料性能已經達到國外先進水平。
熱導率更高的第四代封裝材料的代表為金剛石 /Cu 復合材料，目前國內外均處在研發的初級階段。
從以上發展過程可以看出，WCu /Mo Cu 合金未來的發展面臨極大的挑戰，既有可能持續應用于封裝領域，也有可能在與其它材料的競爭中被淘汰。
為此，在現有技術的基礎上，開展進一步研究提高 WCu /Mo Cu合金的性能，保持其作為封裝材料價值優勢的工作已迫在眉睫。