傳統封裝材料
一、金屬封裝材料
金屬封裝材料是最早發展起來的封裝材料，其具有較高的熱導率和力學強度，加工性能較好，并且對電磁有一定的屏蔽作用。傳統的金屬封裝材料主要包括 Ｃｕ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ以及 Ｋｏｖａｒ合金（Ｆｅ－Ｃｏ－Ｎｉ合金）、Ｉｎｖａｒ合金（Ｆｅ－Ｎｉ合金）。Ｃｕ和 Ａｌ有較高的熱導率，散熱性能優良，但其熱膨脹系數較高，較難與硅片匹配，芯片在工作時產生的熱循環將造成較大的應力，并且 Ｃｕ的密度較高。Ｋｏｖａｒ合金和Ｉｎｖａｒ合金的熱膨脹系數與硅片能夠較好匹配，但熱導率較低，在高度集成的封裝器件中，其較低的散熱性能將嚴重影響芯片的工作性能，并且與 Ａｌ相比材料的密度相比 Ａｌ較高，剛度較差。Ｗ、Ｍｏ的導熱性能相比 Ｋｏｖａｒ合金與Ｉｎｖａｒ合金有較大的提高，且熱膨脹系數較低，但其與硅片的潤濕性差，在實際使用過程中需在其表面涂覆 Ａｇ或 Ｎｉ，增加了工藝的復雜性與成本，并且 Ｗ、Ｍｏ的密度較大，因此在航天航空領域的使用受到限制。
二、陶瓷封裝材料
陶瓷封裝材料主要用于電子封裝基片材料，其介電常數較低，高頻性能較好；強度較高，化學穩定性較好；熱導率較高且熱膨脹系數較低；氣密性能優良，耐濕性好。目前使用較為廣泛的陶瓷封裝材料是 Ａｌ２Ｏ３，占整個陶瓷封裝材料的９０％，其余陶瓷封裝材料主要包括 ＡｌＮ、ＢｅＯ、ＢＮ、ＳｉＣ等。Ａｌ２Ｏ３ 陶瓷基片材料的加工技術較為成熟，應用也最為廣泛，有著較好的綜合性能且價格低廉。但 Ａｌ２Ｏ３ 陶瓷基片材料的熱導率相對較低，且熱膨脹系數與硅片存在一定的差異，因此在大型集成電路中的使用受到限制。在實際制備過程中，需盡可能提高 Ａｌ２Ｏ３ 的含量，提高粉體的燒結致密度，以使綜合性能得到提升，但這也會導致燒結溫度升高，增加了成本。ＡｌＮ 陶瓷基片材料有著較好的綜合性能，同時相比Ａｌ２Ｏ３ 有著較高的熱導率，熱膨脹系數能夠與硅片較好匹配，因此成為國內外研究的重點，但 ＡｌＮ 陶瓷基片材料對純度和燒結致密度的要求較高，材料的制備工藝難度和成本都較高，批量化生產難度較大。ＢｅＯ 陶瓷有著與金屬材料相近的熱導率，適用于高功率集成電路基片材料，但其燒結溫度較高，使得材料的制備成本大大提高，同時 ＢｅＯ 存在一定的毒性，因此大規模的使用受到限制。綜上所述，陶瓷基片材料在綜合性能上較為優異，可用于高可靠、高頻、耐高溫、強氣密性的封裝領域，但同時也存在一定的缺陷，整體成本較高，目前一般用于航空航天領域。
三、塑料封裝材料
塑料封裝材料是封裝材料中的后起之秀，具有成本低，工藝簡單，絕緣性好，易于實現電子產品小型化、輕量化等優點，目前已占到整個封裝材料領域的９０％。塑料封裝材料主要是熱固性聚合物材料，包括環氧類、酚醛類、聚酯類以及有機硅類聚合物材料，其中環氧樹脂的應用最為廣泛。但是塑料封裝材料存在氣密性較差、對濕度較為敏感等缺陷，因此采用塑料封裝的芯片在存放方面需要特別注意，在回流焊接前還需對其進行較長時間的烘烤，若材料吸水后直接進行回流焊接，則塑封料吸收的水分受熱膨脹，容易引起芯片的爆裂；同時水氣還會影響材料的熱力學性能，在高溫下降低材料的彈性模量與強度；此外水氣還會導致封裝內部金屬層的腐蝕破壞，大大降低封裝的可靠性。因此塑料封裝材料無法適應惡劣的環境，只能用于對可靠性要求不高的民用領域。